Germanio-antimonio-telurio
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El GeSbTe (germanio-antimonio-telurio o GST) es un material de cambio de fase del grupo de los vidrios calcogenuros utilizado en discos ópticos regrabables y aplicaciones de memoria de cambio de fase. Su tiempo de recristalización es de 20 nanosegundos, lo que permite velocidades de escritura de hasta 35 Mbit/s y una capacidad de sobrescritura directa de hasta 106 ciclos. Es adecuada para formatos de grabación land-groove. Suele utilizarse en DVD regrabables. El semiconductor GeSbTe dopado con n permite crear nuevas memorias de cambio de fase. El punto de fusión de la aleación es de unos 600 °C (900 K) y la temperatura de cristalización oscila entre 100 y 150 °C.
Durante la escritura, el material se borra, inicializándose en su estado cristalino, con irradiación láser de baja intensidad. El material se calienta hasta su temperatura de cristalización, pero no hasta su punto de fusión, y cristaliza. La información se escribe en la fase cristalina, calentando puntos de la misma con pulsos láser cortos (<10 ns) de alta intensidad; el material se funde localmente y se enfría rápidamente, permaneciendo en la fase amorfa. Como la fase amorfa tiene menor reflectividad que la cristalina, los datos pueden registrarse como manchas oscuras sobre el fondo cristalino. Recientemente, se han desarrollado nuevos precursores de organogermanio líquido, como el isobutilgermano.[1][2][3] (IBGe) y el tetraquis(dimetilamino)germano[4][5] (TDMAGe), que se han utilizado junto con los metalorgánicos de antimonio y telurio, como el tris-dimetilamino antimonio (TDMASb) y el di-isopropil telururo (DIPTe) respectivamente, para hacer crecer películas de GeSbTe y otros calcogenuros de muy alta pureza mediante deposición química metalorgánica en fase vapor (MOCVD). El tricloruro de dimetilamino germanio[6] (DMAGeC) también se considera un precursor superior de dimetilaminogermanio que contiene cloruro para la deposición de Ge por MOCVD.