Quadruple Level Cells
Zellen mit vier Informationsbits pro Zelle Aus Wikipedia, der freien Enzyklopädie
Quadruple Level Cells (QLC), in der Regel Quad-Level Cell genannt, sind Flash-Speicher-Chips mit 16 Zuständen pro Zelle, also 4 Bit pro Speicherzelle.[1][2]
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Die QLC-NAND-Flash-Chips können durch ihre 16 Zustände auf einem Die bis zu 768 Gigabit speichern. In einem einzelnen Chipgehäuse sind 96 Lagen geplant, wodurch dieses 9 Terabyte fassen würde.[3] Dadurch sollen SSDs mit weit über 100 TByte möglich werden.[4][5] Laut Ankündigungen von Toshiba sollen die Zellen bis zu 1000 Schreibzyklen überstehen, was in etwa dem Niveau aktueller TLC-Speicherzellen entspricht.[6] Zudem sollen die so gefertigten SSDs mit Hilfe weiterer Techniken eine äußerst niedrige Stromaufnahme im Idle-Betrieb aufweisen, was wichtig für WORM-Anwendungen (write once, read many) ist.[7]
Die Zellen waren seit 2008 von SanDisk und Toshiba in Entwicklung.[8] Seit 2018 sind auch Modelle für den privaten Endkunden auf dem Markt.[9] Mittlerweile (2021) befinden sich auch Speicherzellen mit noch größerer Informationsdichte (Penta-Level Cells – PLC) in Entwicklung.[10]
Siehe auch
- SLC-Speicherzelle (Single-Level-Cell)
- MLC-Speicherzelle (Oberbegriff bzw. i. d. R. verwendet für 2 Bits pro Zelle)
- TLC-Speicherzelle (Triple-Level-Cell)
Einzelnachweise
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