FinFET

FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors. Els transistors FinFET aconsegueixen menor superfície en el dau de silici, a més a més de major velocitat de commutació i menor consum de potència. El FinFET va ser concebut el 2001 a la universitat de Califòrnia, Berkeley, pels investigadors Chenming Hu, Tsu-Jae King-Liu i Jeffrey Bokor.^[1][2][3][4]

Fig.1 Estructura d'un transistor FinFET

Paràmetres

• Avantatge dels transistors FinFET : ^[5]

Paràmetre	Detall
Superfície en SI	Permet implementar transistors per sota dels 22 nm (actualment estan a 5 nm)
Consum de potència	Reducció significativa del consum elèctric.
Tensió d'operació	Permet treballar per sota 1V.
Corrent de pèrdues	Reducció típica del 90%.
Velocitat d'operació	Millora típica del 30%.

GAAFET

Evolució del transistor: a l'esquerra tecnologia Planar (la porta pel damunt del canal), al centre tecnologia FIN (la porta als costats laterals del canal, i a la dreta tecnologia GAAFET (la porta envolta tot el canal).

GAAFET (gate-all-around FET) o transistor FET de porta envoltada és similar al concepte de FinFET amb la diferència que el material qui forma la porta envolta la regió del canal.^[6] GAAFET són els successors dels FinFET per a implementar les tecnologies per sota de 7nm.^[7]

Implementacions

Empresa	Data	Tecnologia FinFET
GlobalFoundries	2012	14 nm
TSMC	2014	16 nm
AMD	Abril 2017	14 nm
Samsung	Març 2017	14 nm
TSMC	setembre 2017	10 nm

Referències

1. «What is Finfet?» (en anglès). https://www.computerhope.com.
2. «FinFET Technology | FinFET Basics | Radio-Electronics.Com» (en anglès). http://www.radio-electronics.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
3. «FinFET Guide - TechDesignForum» (en anglès). http://www.techdesignforums.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
4. «FinFET Design, Manufacturability, and Reliability» (en anglès). https://www.synopsys.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
5. «[https://microlab.berkeley.edu/text/seminars/slides/2011-8_FinFET_and_the_Concept_Behind_It.pdf FinFET 3D Transistor & the Concept Behind It]» (en anglès). https://microlab.berkeley.ed.+[Consulta: 14 novembre 2017].
6. «Gate-All-Around FET (GAA FET)» (en anglès). semiengineering.com, 13-12-2020. [Consulta: 13 desembre 2020].
7. Solca, Bogdan. «TSMC to implement gate-all-around (GAAFET) transistors on the 2 nm nodes by 2023» (en anglès). https://www.notebookcheck.net,[phone].+[Consulta: 13 desembre 2020].