Portador de càrrega

Portador de càrrega denota en física una partícula lliure (mòbil i no enllaçada) portadora d'una càrrega elèctrica. Com a exemple els electrons i els ions. En la física de semiconductors, els buits produïts per manca d'electrons són tractats com a portadors de càrrega.^[1]

En solucions iòniques, els portadors de càrrega són els cations i anions dissolts. De manera similar, els cations i anions dels líquids dissociats serveixen com a portadors de càrrega en líquids i en sòlids iònics fosos.^[2]

En el plasma, així com en el arc elèctric, els electrons i cations del gas ionitzat i del material vaporitzat dels elèctrodes actuen com a portadors de càrrega. En el buit, en un arc elèctric o en un tub de buit, els electrons lliures actuen com a portadors de càrrega.^[3]^[4]

[1]
Ashcroft, Mermin. Solid State Physics, p. 4.
[2]
Pietro P. Altermatt, Andreas Schenk, Frank Geelhaar,Gernot Heiser «Reassessment of the intrinsic carrier density in crystalline silicon in view of band-gap narrowing». Journal of Applied Physics, vol. 93, 3, 2003, pàg. 1598. DOI: 10.1063/1.1529297.
[3]
O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz. «Germanium (Ge), intrinsic carrier concentration». A: Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties, 2002, p. 1–3 (Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter). DOI 10.1007/10832182_503. ISBN 978-3-540-42876-3.
[4]
Rössler, U. «Gallium arsenide (GaAs), intrinsic carrier concentration, electrical and thermal conductivity». A: Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties, 2002, p. 1–8 (Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter). DOI 10.1007/10832182_196. ISBN 978-3-540-42876-3.

[1] [1]
Ashcroft, Mermin. Solid State Physics, p. 4.

[2] [2]
Pietro P. Altermatt, Andreas Schenk, Frank Geelhaar,Gernot Heiser «Reassessment of the intrinsic carrier density in crystalline silicon in view of band-gap narrowing». Journal of Applied Physics, vol. 93, 3, 2003, pàg. 1598. DOI: 10.1063/1.1529297.

[3] [3]
O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz. «Germanium (Ge), intrinsic carrier concentration». A: Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties, 2002, p. 1–3 (Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter). DOI 10.1007/10832182_503. ISBN 978-3-540-42876-3.

[4] [4]
Rössler, U. «Gallium arsenide (GaAs), intrinsic carrier concentration, electrical and thermal conductivity». A: Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties, 2002, p. 1–8 (Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter). DOI 10.1007/10832182_196. ISBN 978-3-540-42876-3.

[1]

[2]

[3]

[4]

Portador de càrrega

Referències

Vegeu també