Epitàxia
From Wikipedia, the free encyclopedia
L'epitàxia es refereix a un tipus de creixement cristal·lí o deposició material en el qual les noves capes es formen sobre un substrat cristal·lí, amb orientacions ben definides respecte a aquest. La pel·lícula cristal·lina dipositada s’anomena capa o pel·lícula epitaxial. L'orientació relativa de la capa epitaxial respecte el substrat cristal·lí es defineix en termes de l'orientació de la xarxa cristal·lina de cada material. Per altra banda, el creixement amorf o multi-cristal·lí segueix una orientació aleatòria dels cristalls. Per aplicacions més tecnològiques s’utilitza l'epitàxia d’un sol domini, que consisteix en el creixement una monocapa amb una única orientació ben definida.
El terme epitàxia ve de les arrels gregues epi (ἐπί), que significa "damunt", i taxis (τάξις), que significa "de manera ordenada".
Una de les aplicacions comercials principals del creixement epitaxial és en la indústria dels semiconductors, on es duu a terme creixement epitaxial de pel·lícules de semiconductor damunt oblies de substrat també semiconductor.[1] És un dels processos en la fabricació de circuits integrats. Mitjançant aquesta tècnica es pot controlar de forma molt precisa el nivell d'impureses en el semiconductor, que són els que defineixen el seu caràcter (N o P). Per fer això s'escalfa el semiconductor fins a gairebé el seu punt de fusió i es posa en contacte amb el material de base perquè, en refredar-se, recristal·litzi amb l'estructura adequada. En aquest cas, la xarxa epitaxial tindrà una orientació específica respecte a la de l'oblia de substrat, com l'índex de Miller [001] de la pel·lícula que alinea amb l’índex [001] del substrat.