From Wikipedia, the free encyclopedia
32 nanòmetres (32 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 32 nm. És una millora de la tecnologia de 45 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 59 àtoms de llargada.[1][2]
Fabricant | Data | CPU | Notes |
---|---|---|---|
Intel | 2010 | Core i3 i i5 | [3] |
Intel | 2010 | Sandy Bridge | Tecnologia dielèctric high-k |
Intel | 2010 | i7-970 i7-980 | 6 cores |
AMD | 2010 | FX | Tecnologia SOI |
Fabricant | Common Platform | Intel | TSMC | Samsung | Toshiba / NEC | Common Platform 2 | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nom del procés | P1268 | |||||||||||
Primera producció | 2009 | 2009 | 2009 | 2009 | 2009 | 2010 | ||||||
Tipus | PDSOI | Bulk | ||||||||||
Oblia | 300mm | |||||||||||
Value | 45 nm Δ | Value | 45 nm Δ | Value | 40 nm Δ | Value | 40 nm Δ | Value | 40 nm Δ | Value | 45 nm Δ | |
Pas de contacte de porta | 130 nm | 0.68x | 112.5 nm | 0.63x | 130 nm | 0.80x | 113.4 nm | 0.88x | 120 nm | 0.71x | 126 nm | 0.66x |
Pas de connexió | ? nm | ?x | 112.5 nm | 0.70x | ? nm | ?x | 113.4 nm | 0.97x | ? nm | ?x | ?nm | ?x |
Cel·lula 1 bit de RAM (HD) | 0.15 µm² | 0.41x | 0.148 µm² | 0.43x | 0.15 µm² | 0.62x | 0.120 µm² | ?x | 0.124 µm² | 0.64x | 0.157 µm² | 0.42x |
Cel·lula 1 bit de RAM (LP) | 0.199 µm² | |||||||||||
Cel·lula 1 bit de DRAM | 0.171 µm² | 0.45x |
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.