ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة
من ويكيبيديا، الموسوعة encyclopedia
ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة (بالإنجليزية: Static random access memory ) واختصاراً (SRAM) وهي نوع من ذاكرة الوصول العشوائي تصنع من مواد نصف ناقلة حيث أن تسميتها بالساكنة تعني أنها ليست بحاجة إلى إعادة إنعاشها بشكل دوري مثل ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية حيث أنها تستخدم دائرة مغلاق لتخزين البيانات.[1][2]
تقوم بتخزين البيانات على وحدات تخزين مؤلفة من ترانزستور (له حالتين إما عبور أو عدم عبور) ومن صفات هذا النوع أنه يستهلك طاقة أقل من نوع (D RAM) وأسرع بكثير وأغلى منه.