power semiconductor device

轉換為電能，送至直流端。這種配合電阻，制動時讓电阻消耗能量的作法稱為电阻制动。 有些變頻器內部也會內建剎車功率半導體（英语：Power semiconductor device）（稱剎車晶體）及相關電路，此時只需保留連接剎車電阻的端子，供客戶安裝即可。剎車斬波器動作的直流鏈電壓準位則由變頻器自行設定。

and Innovation）：2010年 IEEE榮譽獎章：2014年 絕緣柵雙極電晶體（IGBT） 功率半導體元件（英语：power semiconductor device） 功率金屬氧化物半導體場效電晶體 John Edwards. B. Jayant Baliga: Designing The

功率模組（power module）可以將各個电力电子学元件（多半是功率半導體元件（英语：power semiconductor device））放在同一封裝中。其中的功率半導體（稱為裸晶）會用銲接或是燒結的方式固定在乘載功率半導體的基板（英语：power electronic

基體閘換向閘流體（integrated gate-commutated thyristor）簡稱IGCT，是功率半導體（英语：power semiconductor device）的电子学元件，在工業設備中切換电流用。其原理和可關斷晶閘管（GTO）有關。 IGCT是由三菱集团及ABB聯合開發。IGCT

功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），也是功率半導體（英语：power semiconductor device）的一種。和其他功率半導體（例如絕緣柵雙極晶體管或晶閘管）比較，功率MOSFET的優點是其切換速度快，在低電壓下的高效率。功率MOSFE