Julius Lilienfeld

National Academy of Sciences. [16 March 2011]. （原始内容存档于2010-06-29）.  Julius Edgar Lilienfeld Prize. [22 October 2012]. （原始内容存档于2011-10-26）.  Karl Schwarzschild

1925年，加拿大物理學家尤利烏斯·愛德利林費爾德（英语：Julius Edgar Lilienfeld）申請場效應晶體管（FET）的專利 1926年，尤利烏斯·愛德利林費爾德（英语：Julius Edgar Lilienfeld）也在美國申請專利，但是他沒有發布過相關的文章，而且當時還沒有製作高品質半導體的相關技術。

貝爾實驗室的約翰·巴丁，威廉·蕭克利和沃爾特·布拉頓，1948年貝爾實驗室的律師很快就發現了蕭克利的場效應原理是可以預見的，基於該原理的設備由尤利烏斯·利林費爾德（英语：Julius Lilienfeld）於1930年申請了專利，他於1925年10月22日在加拿大提交了類似MESFET的專利。儘管該專利看上去“易碎”（無法工作），但專

场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。 场效应電晶體于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（結型場效應電晶體）。1960年Dawan

的量子穿隧性質，可以用來解釋電子的冷發射，即施加強勁外電場於冷金屬可以促成電子被發射的現象。早在1922年，朱利斯·利廉費德（英语：Julius Lilienfeld）就已觀察到電子冷發射現象，但物理學者最初都無法對於這現象給出合理解釋。格尼認為，除了電子冷發射現象以外，量子穿隧效應也可以用來解釋