三氟化氮

三氟化氮（NF₃）是卤化氮中最稳定的无机化合物，可在铜的催化下由氨气与氟气制成。^[1] 它可以用作氟化氢激光器的氧化剂，半导体、液晶和薄膜太阳能电池生产过程中的蚀刻剂。曾被试做火箭燃料。^[2] 但由于三氟化氮属于温室气体，能加剧温室效应，因此有人认为应该限制这种化合物的使用。^[3]

三氟化氮
IUPAC名 Nitrogen trifluoride
别名	氟化氮 三氟胺 三氟氨
识别
CAS号	7783-54-2 ?
PubChem	24553
UN编号	2451
RTECS	QX1925000
性质
化学式	NF3
摩尔质量	71.0019 g·mol⁻¹
外观	无色气体
密度	3.003 kg/m3 (1 atm, 15 °C) 1.885 g/cm3 (沸点时，液态)
熔点	−207.15 °C（66 K）
沸点	−129.1 °C（144 K）
溶解性（水）	0.021 vol/vol (20 °C, 1 bar)
结构
分子构型	三角锥
偶极矩	0.234 D
危险性
MSDS	Air Liquide MSDS
欧盟编号	未列出
NFPA 704	0 1 0 OX
闪点	不易燃
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

三氟化氮在半導體及TFT-LCD製造的薄膜製程中扮演「清潔劑」的角色，不過這類清潔劑是氣態，而非液態。

在半導體中，薄膜製程的主要設備是「化學氣相沉積」（CVD）機台，會在晶圓片上長出薄膜。薄膜的成份有可能是矽、二氧化矽或其他金屬材料，但這些材料不僅會附著在晶片上，也附著在反應室內的牆壁上，內牆上的二氧化矽累積至相當數量，就會在反應室內形成微塵粒子（Particle），影響晶圓片的良率。

因此每台CVD機台在處理過規定數量的晶圓片後，就要使用含氟的氣體清洗，以去除內壁上的矽化物質。不過NF₃與CF₄、C₂F₆等氣體都屬於多氟碳化物，是造成溫室效應的來源之一。半導體廠為了降低排氣對溫室效應的影響，在排放含氟廢氣前，會以高溫（攝氏700、800度才進行）將氣體由有機轉分解為無機，才不會破壞臭氧層。

来源

1. 三氟化氮. [2009-12-20]. （原始内容存档于2014-05-06）.
2. 氟化物及产业发展^{[永久失效連結]}
3. 最新观测：三氟化氮应进温室气体“黑名单”. [2009-12-20]. （原始内容存档于2014-05-06）.