隧道磁阻
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隧道磁阻(英語:TMR, Tunnel Magnetoresistance),又稱穿隧磁阻,是发生在磁隧道结(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)中的磁阻效应,由一个薄绝缘体及被其隔开的两个铁磁体组成的组件。绝缘层足够薄(通常为几纳米)的情况下,电子可以从一个铁磁体隧穿过去另一边。由于这个过程在古典物理学中不可能实现的,所以隧道磁阻是一种严格的量子力学现象。
磁性隧道结通过薄膜技术进行制造。工业规模上的薄膜沉积通过磁控溅射沉积完成;实验室规模通过分子束外延、脉冲激光沉积以及电子束物理气相沉积制备。隧道的结通过光刻法制备。