氮化鋁銦鎵維基百科,自由的 encyclopedia 氮化鋁銦鎵的化學式是InGaAlN,是以氮化鎵為基礎的半導體,常用磊晶成長的方式製成,像是有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延(MBE)、脉冲激光沉积(PLD)等方式。此材料用在特別的光電應用中,像是藍光雷射LED及藍光LED等。 这是一篇关于无机化合物的小作品。您可以通过编辑或修订扩充其内容。查论编 此條目缺少或没有列出参考或来源,或者有未能查证的内容。 (2015年10月21日)
氮化鋁銦鎵的化學式是InGaAlN,是以氮化鎵為基礎的半導體,常用磊晶成長的方式製成,像是有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延(MBE)、脉冲激光沉积(PLD)等方式。此材料用在特別的光電應用中,像是藍光雷射LED及藍光LED等。 这是一篇关于无机化合物的小作品。您可以通过编辑或修订扩充其内容。查论编 此條目缺少或没有列出参考或来源,或者有未能查证的内容。 (2015年10月21日)