反应离子刻蚀維基百科,自由的 encyclopedia 反应离子蝕刻(英文:Reactive-Ion Etching,或简写为RIE)是一种半导体生产加工工艺,它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料,来达到刻蚀的目的。气体在低压(真空)环境下由电磁场产生,等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。 此條目需要精通或熟悉相关主题的编者参与及协助编辑。 (2012年10月5日) 此條目没有列出任何参考或来源。 (2012年10月5日) 無塵室中一組商用反應離子蝕刻設備
反应离子蝕刻(英文:Reactive-Ion Etching,或简写为RIE)是一种半导体生产加工工艺,它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料,来达到刻蚀的目的。气体在低压(真空)环境下由电磁场产生,等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。 此條目需要精通或熟悉相关主题的编者参与及协助编辑。 (2012年10月5日) 此條目没有列出任何参考或来源。 (2012年10月5日) 無塵室中一組商用反應離子蝕刻設備