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半導體激光（Semiconductor laser），又叫半導體雷射，係激光一種。1962年成功激發，喺1970年實現室溫下連續發射。後尾改良過，研究出雙異質接合型激光，以及條紋型構造嘅激光二極管（Laser diode）等，廣泛使用喺光纖通信、光碟、激光打印機、激光掃描器、激光筆，係目前生產量最大嘅激光器。
喺基本構造上，佢屬於半導體嘅P-N接面，但激光二極管係以金屬包層從兩邊夾住發光層（活性層），係「雙異質接合構造」。而且喺激光二極管入面，將界面作為發射鏡（共振腔）使用。喺使用材料方面，有鎵（Ga）、砷（As）、銦（In）、磷（P）等。另外喺多重量子井型入面，又使用Ga·Al·As等。
由於有條狀結構，就算好微細電流，都會增加活性區域嘅居量反轉密度，優點係激發容易呈現單一形式，而且，壽命可達10~100萬個鐘。
激光二極體優點，效率高、體積細、重量輕而且價格低。尤其係多重量子井型嘅效率有20~40%，P-N型都達到數%~25%，總之能量效率高係佢最大特色。另外，佢嘅連續輸出波長涵蓋咗紅外到可見光範圍，而光脈衝輸出達50W（頻寬100ns）等級嘅產品都已經商業化，作為激光雷達或者激發光源可以話係非常容易使用嘅激光例子。
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