indium gallium nitride

69 eV）延伸到紫外線（3.4 eV）。 目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金氮化銦鎵（英语：indium gallium nitride），可以對應太陽光的頻譜。氮化銦的能階其波長可以長到1900nm。不過這類太陽電池要商品化，仍有許多困難，利用氮化銦及高含銦的氮

磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP）也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在

換電路、紅外線電路。半導體氮化鎵和氮化銦鎵（英语：Indium gallium nitride）则用於製造藍色和紫色的發光二極體（LED）和雷射二極體。除此之外，鎵也用於生產珠寶用途的人造釓鎵榴石型鐵氧體（英语：Gadolinium gallium garnet）。镓被列為一種技术关键元素（英语：technology-critical

Sharenkova, J Sloan, L M Sorokin. Fabrication and structure of an opal-gallium nitride nanocomposite. Semiconductor Science and Technology. 2001-02-01, 16

1993年，中村修二對名古屋大學的赤崎勇、天野浩師徒有關p型GaN（氮化鎵）的早期貢獻，提出正確的理論解釋，並獨立發明以InGaN（基於氮化銦鎵（英语：Indium gallium nitride））晶體製作藍色發光元件的雙流式MOCVD（日语：ツーフローMOCVD）方法（Two flow