Dawon Kahng

爾實驗室與國立交通大學電子工程系教授、國立陽明交通大學與國立臺灣科技大學的榮譽講座教授、及美國史丹福大學電機系顧問教授。他與姜大元（英语：Dawon Kahng）發明並實作了第一個非揮發性記憶體（non-volatile semiconductor memory，NVSM）。電機電子工程師學會（IEEE）會士、尊榮會員。

potentiometer）、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。 FGMOS的最早报道是姜大元（英语：Dawon Kahng）和施敏发表的, 其历史可追溯至1967年。FGMOS的最早应用是将数字数据存储在EEPROM，EPROM和闪存中。

體的放大器重量更輕、更可靠而且需要的維護更少。 MOSFET由穆罕默德·阿塔拉（英语：Mohamed M. Atalla）和姜大元（英语：Dawon Kahng）於1959年在貝爾實驗室發明，1974年由日本東北大學的西澤潤一改造為用於音頻的功率MOSFET。山葉很快就為他們的高傳真音頻放大器製造

最广泛使用的半导体器件是金属氧化物半导体场效应管，它是1959年由贝尔实验室的穆罕默德·阿塔拉（英语：Mohamed M. Atalla）和姜大元（英语：Dawon Kahng）发明的。自20世纪60年代以来，金属氧化物半导体场效应管的规模和小型化一直是半导体技术快速指数增长背后的主要因素。占晶体管总数99

金屬氧化物半導體場效電晶體是贝尔实验室的Mohamed Atalla（英语：Mohamed M. Atalla）和Dawon Kahng（英语：Dawon Kahng）在1959年發明的，是电力电子学的一大突破。MOSFET一代一代的推進，讓電力電子元件的設計者可以達到雙極性電晶體無法達到的性能以及功率密度。