長江存儲

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長江存儲

長江存儲科技有限責任公司(英語:Yangtze Memory Technology Corp,簡稱YMTC、長存),是一家總部位於中華人民共和國武漢市半導體製造公司,主要業務為動態隨機存取記憶體(DRAM)與快閃記憶體(NAND Flash)製造。長江儲存以自己的品牌生產企業級固態硬碟。 其消費性產品以致態品牌銷售。

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長江存儲科技有限責任公司
Yangtze Memory Technology Corp
公司類型附屬公司
成立2016年7月
代表人物陳南翔董事長
總部 中華人民共和國湖北省武漢東湖新技術開發區未來三路88號
產業半導體
產品記憶體隨身碟固態硬碟、影像感測元件等
員工人數~8,000 (2023)[1]
主要股東紫光集團(51.04%)[2]
網站www.ymtc.com
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長江存儲由紫光集團中國政府合資,於2016年12月21日成立,註冊資本達人民幣386億元。長江存儲公司是中國高端晶片聯盟發起單位之一,該產業聯盟受工業和信息化部指導,屬於中國官方建立本土半導體產業努力的一部分。

歷史

2016年,紫光國芯與武漢新芯公司合併,在武漢成立了長江存儲。原始投資分兩期,第一期由中國國家積體電路產業投資基金股份有限公司、湖北國芯產業投資基金合夥企業和湖北省科技投資集團有限公司共同出資,二期將由紫光集團(佔50%股權)和國家積體電路產業投資基金股份有限公司共同出資。由紫光集團董事長趙偉國出任首任董事長,中國國家積體電路產業投資基金總經理丁文武與湖北省長江經濟帶產業基金公司副總經理楊道虹任副董事長[3],前中芯國際營運長楊士寧出任總裁,前華亞科董事長高啟全任營運長[4]

2018年8月7日,長江儲存宣布其3D NAND架構Xtacking研發成功,該技術將負責資料讀寫操作的外圍電路和儲存單元分開獨立加工,以此降低成本並提高儲存密度。[5]2018年4月26日,中共中央總書記習近平至長江存儲察看積體電路生產線,並發表談話表示「要實現兩個一百年奮鬥目標,一些重大核心技術必須靠自己攻堅克難。」[6]2019年9月2日,基於Xtacking架構的64層TLC 3D NAND快閃記憶體開始量產。[7]2021年9月,長存已生產3億片64層晶片。[8]

2020年4月13日,長江存儲宣布跳過96層,成功試產128層QLC 3D NAND快閃記憶體,單顆容量達1.33 Tb (166 GB) 。[9]從2020年到2021年,128層主記憶體芯試產良品率平均僅為30%至40%。[10]2021年9月,長存COO宣布128層QLC已可量產。[8]

2020年9月,長存發布第一組面向消費者的「致態」產品,為採用64層晶片的SATAM.2固態硬碟。[11]

2017年,長江存儲宣布籌建二號工廠。2021年,長存認為新廠可導致產量翻倍至每月200,000片晶圓。[12]2022年1月,新聞報道稱由於母公司紫光集團的金融問題,籌建計劃取消。[13][14]

2022年3月,彭博新聞社報導稱蘋果公司正考慮從長江存儲購買一部分NAND快閃記憶體。[15]2022年10月,蘋果公司宣布迫於政治壓力,將放棄在手機中使用長江記憶體晶片的計畫。[16][17]

2022年5月,PCI-SIG認證了長江存儲的兩款企業級固態硬碟,表明長存使用了符合標準的主控。目前暫不知道PE310、PE320這兩款硬碟的主控是否長存自己設計,還是和往常一樣使用了群聯電子慧榮科技的方案。[18]

2022年7月,執行長楊士寧升任為常務副董。[19]

2022年8月,長存宣布成功試產232層記憶晶片X3-9070。[20][21]2022年12月,量產開始。[22]2022年11月,TechInsights稱晶片已上市。[23][24]

2022年底,長江存儲被加入美國實體清單[25]2023年2月,由於美國制裁和市場需求偏低,長存裁去10%員工、取消裝置訂單,並推遲了擴充計劃。[26]2023年3月,國家大基金宣布將對長江存儲增加19億美元的注資。 [27]

國際評價

美國制裁

2021年7月,美國眾議院議員麥克·麥克考威廉·哈格蒂致信美國商務部要求將長江存儲列入制裁清單,稱其在中國對美國儲存企業採用不正當競爭手段,且和中國共產黨關係密切,還從制裁清單上的中芯國際雇用員工。[28][29][30]

2022年4月,參議院議員馬可·魯比歐蘋果手機擬採用長存NAND晶片一事表示不滿,稱長存和中國共產黨、中國人民解放軍有聯絡。[31][32]2022年9月,有報告指出長存向華為提供記憶晶片,引發更多議員要求將長存放入實體清單。[33] 2022年10月上旬,美國政府宣布將包括長存在內的31個中國企業加入未經核實清單英語Unverified List[34]12月15日,美國政府將長存加入實體清單[25][35][36]2023年度美國國防授權法案禁止美國政府從長存購買晶片。[37]

生產歷史

  • 32層NAND晶片 - 2017年11月試產成功,2018年第三季量產[38]
  • 64層NAND晶片 - 2018年8月試產成功,2019年第三季量產[7]
  • 128層NAND晶片 - 2020年4月試產成功[39],2021年9月量產
  • 232層NAND晶片 - 2022年8月試產成功,12月量產

參考文獻

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