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小注入（英語：low level injection）是形成PN接面的一種工作條件。在N型半導體中，當注入半導體材料的非平衡電子（通過光照注入、電注入等方法引入的兩種載子——電子、電洞總是成對出現）的濃度小於平衡時導帶中電子的濃度時，我們稱這種方法為小注入。對於P型半導體，則需要比較非平衡電洞與平衡時的電洞的濃度。在小注入的情況下，多數載子的複合率為線性。[1]
 | 此條目需要精通或熟悉相關主題的編者參與及協助編輯。 (2015年12月14日) |
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