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磁阻式隨機存取記憶體
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磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非易失性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,具有快閃記憶體的非揮發性,容量密度及使用壽命不輸DRAM,平均能耗遠低於DRAM,成為真正的通用型記憶體(英語:Universal memory)(Universal memory)[1]。它目前由Everspin(英語:Everspin Technologies)公司生產,其他公司,包括格羅方德和三星電子已經宣布產品計劃[2][3]。
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