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電子抹除式可複寫唯讀記憶體
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電子抹除式可複寫唯讀記憶體 (英語:Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory,簡稱:EEPROM或E2PROM),是一種唯讀記憶體(ROM),可以通過電子方式多次複寫。相比EPROM, EEPROM 不需要用紫外線照射,也不需取下,就可以用特定的電壓,來抹除晶片上的資訊,以便寫入新的數據, EEPROM 屬於SPD(串行存在檢測)技術的一種延伸。
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![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/f7/AMIC_EPROM_memory.jpg/640px-AMIC_EPROM_memory.jpg)
EEPROM分為四種工作模式:讀取模式、寫入模式、擦拭模式、校驗模式。讀取時,晶片只需要Vcc低電壓(一般+5V)供電。而在編程寫入時,晶片會通過Vpp(一般+25V, 有時較新者會使用 +12V 或 +5V)獲得編程電壓,並通過PGM編程脈衝(一般為50ms)寫入數據。擦拭時,只需使用Vpp高電壓,不需要紫外線照射,便可以擦拭指定位址中的內容。為保證寫入正確,每寫入一塊數據後,都需要進行類似於讀取的校驗步驟,若錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓,且寫入時間也已有縮短。在民用的DDR SDRAM及其主流後續產品中,一般 EEPROM 主要用於儲存主記憶體的開發者資訊、生產時間、主記憶體資訊、通訊協定、既定主記憶體頻率、供電電壓、供電電流、物理訊息以及主記憶體XMP等訊息,且電腦會在開機自檢(Power-On Self-Test;POST)時會讀取這些訊息以保持電腦的正常開機。
快閃記憶體是EEPROM的後續延伸。