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採用5奈米FinFET技術節點的半導體製造工藝 来自维基百科,自由的百科全书
5奈米製程是半導體製造製程的一個水準。在半導體器件製造中,《國際器件和系統路線圖》將5奈米工藝定義為繼7奈米之後MOSFET的又一技術節點。商用5奈米製程基於具有FinFET(鰭式場效應電晶體)的多閘極電晶體(MuGFET)技術,還有已得到證明的5奈米GAAFET(環繞柵場效應電晶體)技術,但尚未商業化。2020年9月15日,由台積電製造的Apple A14 Bionic成為首個公開發表的5奈米製程晶片[1]。
英特爾最早在2009年的藍圖中規劃於2020年推出此製程,[2]而後2019年的藍圖中更新為2023年推出[3]。但在節點改名後已無5nm規劃(最接近為intel 3)。全球最大晶圓代工廠台積電(TSMC)和三星電子皆宣布5奈米製程將於2020年進入量產期,並將首先用於生產智慧型手機晶片[4]。2020年初,三星電子和台積電已經開始5奈米製程的有限風險試產,並在2020年底開始批次生產[5][6][7]。2020第一季台積電搶先投產,首款5nm產品為蘋果A14。
後續優化的製程命名為4奈米[8]。2021年11月19日,聯發科發表世界首款採用台積電4nm製程的天璣9000系列晶片[9]。比較高通的8Gen1(三星代工)與8+Gen1(台積電代工)的效能及功耗,可知三星的4奈米製程輸給台積電。
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