直接能隙（英語：Direct band gaps）是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構，具有這種結構的半導體稱為直接躍遷型半導體（或稱直接帶隙半導體）。直接帶隙結構中，電子由價帶頂躍遷至導帶底時保持k不變，並吸收光子。
間接能隙（英語：Indirect band gaps）是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應不同k值的能帶結構，具有這種結構的半導體稱為間接躍遷型半導體（或稱間接帶隙半導體）。間接帶隙結構中，電子由價帶頂躍遷至導帶底時動量發生改變，因此電子躍遷時除吸收光子外還要吸收或發射聲子，這樣才能滿足動量守恆的要求。
材料特性
非直接躍遷是一個二級過程，其發生的機率很小（約為直接躍遷的1/1000）。相較之下，直接躍遷型材料更適合用作新型發光材料。
材料舉例
直接帶隙半導體材料：GaAs，GaN，InN，InP，GaSb，InAs，InSb等
間接帶隙半導體材料：Ge，Si，AlP，GaP，BAs，AlAs，AlSb等
參考來源
文獻
- 半導體材料 / 楊樹人，王宗昌，王兢 -3版.-北京：科學出版社，2013.1 ISBN 978-7-03-036503-3
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