砷化鎵
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砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料,用來製作微波積體電路[a]、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等元件。
Quick Facts 砷化鎵, 識別 ...
砷化鎵 | |
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IUPAC名 Gallium arsenide | |
識別 | |
CAS編號 | 1303-00-0 ? |
SMILES |
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性質 | |
化學式 | GaAs |
莫耳質量 | 144.645 g·mol⁻¹ |
外觀 | 灰色立方晶體 |
密度 | 5.316 g/cm3[1] |
熔點 | 1238 °C (1511 K) |
溶解性(水) | < 0.1 g/100 ml (20 °C) |
能隙 | 1.424 eV300 K |
電子移動率 | 8500 cm2/(V*s) (300 K) |
熱導率 | 0.55 W/(cm*K) (300 K) |
折光度n D |
3.3 |
結構 | |
晶體結構 | 閃鋅礦結構 |
空間群 | T2d-F-43m |
配位幾何 | 四面體 |
分子構型 | 直線形 |
危險性 | |
歐盟危險性符號 | |
警示術語 | R:R23/25-R50/53 |
安全術語 | S:S1/2-S20/21-S28-S45-S60-S61 |
MSDS | MSDS |
NFPA 704 | |
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。 |
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GaAs化合物半導體特別適合應用於無線通信中的高頻傳輸領域,現在越來越多被應用於射頻前端元件,這是因為GaAs化合物半導體電子移動率比傳統的矽快,且具有抗干擾、低雜訊與耐高電壓、耐高溫與高頻使用等特性,在4G與5G時代有高度需求。[2]