摻雜 (半導體)維基百科,自由的 encyclopedia 摻(ㄔㄢ)雜(英語:doping)是半導體製造工藝中,為純的本質半導體引入雜質,使之電氣屬性被改變的過程。此雜質稱為摻雜劑(dopant)或摻雜物,而引入的雜質與要製造的半導體種類有關。輕度和中度摻雜的半導體被稱作是雜質半導體,而更重度摻雜的半導體則需考慮費米統計律帶來的影響,這種情況被稱為簡併半導體。
摻(ㄔㄢ)雜(英語:doping)是半導體製造工藝中,為純的本質半導體引入雜質,使之電氣屬性被改變的過程。此雜質稱為摻雜劑(dopant)或摻雜物,而引入的雜質與要製造的半導體種類有關。輕度和中度摻雜的半導體被稱作是雜質半導體,而更重度摻雜的半導體則需考慮費米統計律帶來的影響,這種情況被稱為簡併半導體。