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隧道二极管(英语:Tunnel Diode),又称江崎二极管穿隧效应二体穿隧二极管透纳二极管是一种有负阻特性二极管,其负阻特性来自量子穿隧效应。隧道二极管是日本物理学家江崎玲於奈和黒瀬百合子(Yuriko Kurose)在1957年时发明的,当时他任职于东京通讯工业株式会社(现在的索尼[1][2][3][4]。江崎玲於奈在1973年因为利用实验展示了半导体中的量子穿隧效应,获得诺贝尔物理学奖[5]罗伯特·诺伊斯在为威廉·肖克利工作时也有有关隧道二极管的想法,但没有继续进行研究[6]。隧道二极管最早是由东京通讯工业株式会社(现在的索尼)在1957年制造[7],后来通用电气和其他公司在1960年代制造,目前仍有少量生产[8]

事实速览 隧道二极管 Tunnel diode, 类型 ...
隧道二极管
Tunnel diode
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1N3716隧道二极管(旁边2.54mm的jumper是比例尺)
类型被动元件
工作原理量子穿隧效应
发明江崎玲於奈
黒瀬百合子[1]
电路符号
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针型阳极阴极
关闭
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10mA的锗隧道二极管,装在Tektronix 571曲线追踪仪英语Curve tracer的量测用端子上

此种二极管是由高掺杂的PN接面所形成(空乏区通常只有10奈米宽),高掺杂会产生晶格的破坏,让N侧的导带电子排布和P侧的价带电子排布有一部分的对齐。常用材制作,其他常用材料包括砷化镓锑化镓或是硅。

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用途

隧道二极管在其部分工作范围内存在负阻特性,可以可以用作电子振荡器以及放大器,以及用在利用迟滞现象交流电路英语switching circuit(switching circuit)里。隧道二极管也用做混频器以及无线电探测器英语detector (radio)[9]:7–35。隧道二极管的电容量低,可以工作在微波频率下,这是一般的二极管以及晶体管无法运作的条件。

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8–12 GHz隧道二极管放大器,约在1970年

隧道二极管的输出功率低,因此没有广泛的使用。其电压摆动小,射频功率输出只能到数百微瓦。不过近年来已开发了其他使用穿隧效应的新元件。谐振隧穿二极管(RTD)的工作频率已达到固态电子器件振荡器的最高频率[10]

另一种隧道二极管是金属—绝缘体—绝缘体—金属(MIIM)二极管,加上一层绝缘层,可以step tunneling,更精准的控制二极管[11]。也有存在金属—绝缘体—金属英语metal-insulator-metal(MIM)二极管,但因为其本质上的高敏感度,目前应用只限在研究环境下[12]

顺向偏压运作

在一般顺向偏压英语forward bias运作下,电压会增加,第一个隧道的电子通过非常窄的P-N 接面能障,填满N侧的导通带,而此导通带开始和P-N接面中P侧空的价带对齐。电压进一步上升时,两者的对齐情形会变差,因此电流下降。此情形下在电压上升时,电流下降,称为负微分电阻的组态。在电压超过固定的转换点后,隧道二极管就会像一般的二极管一样运作,电子借由传导通过P-N接面,不再利用穿隧效应通过P-N 接面能障。隧道最重要的工作区间就是负电阻区。其电压电流关系图和一般的二极管不同。

逆向偏压运作

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隧道二极管的I V特性曲线图。在V1V2之间的灰色电压区域有负电阻特性

隧道二极管用在逆向偏压下,称为反向二极管英语Backward diode(backward diode或back diode),可以用作零偏移电压的快速整流器,对功率信号有完美的线性度(其反向下有精准的平方律英语square-law detector特性)。在逆向偏压的条件下,P侧已填满电子的价态会越来越对正N侧的空价态,电子会以反向依穿隧效应通过P-N接面能障。

技术比较

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10 mA 锗隧道二极管的I-V曲线,是由Tektronix model 571 曲线追踪仪所绘制

在传统的半导体二极管中,当P-N接面顺向偏压时,元件会导通,而P-N接面逆向偏压时,电流无法流通。不过当逆向偏压的电压大到逆向崩溃电压(reverse breakdown voltage)时,又会导通。在隧道二极管中,P层和N层渗杂剂的浓度大到使逆向崩溃电压变成0,二极管在逆向偏压时可以导通。不过在顺向偏压时,在某个电压区间内,会因为量子穿隧效应的影响,当电压增加时,顺向电流反而下降。这种负阻特性区间可以用作负电阻管振荡器英语dynatron oscillator的固态电子版本,取代四极管热离子阀(真空管)。

应用

隧道二极管可运作在微波频段,其频率远高于四极管可以达到的频率,因此可用在振荡器以及高频阈值(触发)装置上。隧道二极管的应用包括UHF电视调谐器的本身振荡器,示波器中的触发电路,高速计数器电路,以及上升时间非常短的脉波产生电路。1977年Intelsat英语Intelsat V 通讯卫星接收器用了一个microstrip隧道二极管放大器前极,频段在14–15.5 GHz。这类放大器是当时的先进技术,高频下的性能比所有晶体管的前极都要好[13]。隧道二极管可以用做低噪声的的微波放大器[9]:13–64。在此元件发现之后,越来越多的传统半导体性能已超过以往使用传统振荡器技术的性能。对于许多的应用来说,三端子的元件(例如场效应晶体管)灵活度会比只有二个极子的要大。实务应用上,隧道二极管运作需要电流只有几个微安,电压小于一伏特,因此是低功率设备[14]耿氏二极管的频率运作范围和隧道二极管类似,但可以处理较大的功率。

隧道二极管抗辐射强化的效果比其他二极管要好[来源请求]。因此适合用在高辐射的环境下(例如太空)。

寿命长

隧道二极管容易因为过热而损坏,因此在软钎焊时需格外注意。

隧道二极管有个著名的的特点:寿命长,1960年代制作的元件仍能运作。江崎玲於奈等人在自然期刊中提到,一般而言这类半导体元件非常稳定,若存放在室温以下,推测其寿命是无限的。他们后来用一批制作50年的元件进行小量的测试,发现“二极管的寿命有令人满意的结果。”。就像在一些隧道二极管样品中所发现的一样,镀金铁引脚其实会失锈,使得对外壳短路。这问题多半可以检查出来,这可以用维修电话电路板常用的过氧化物及醋酸来处理,内部的隧道二极管仍可以运作[15]

相关条目

参考资料

外部链接

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