可编程金属化单元

可编程金属化单元（英语：programmable metallization cell，缩写为PMC），一种新的非挥发性记忆体技术，由亚利桑那州立大学开发，这项专利目前已授权并转移给Axon Technologies公司。它有可能取代快闪存储器。

英飞凌在2004年取得PMC技术的授权，并用来开发导电桥接随机存取记忆体(conductive-bridging RAM，CBRAM)，NEC称为Nanobridge，Sony称其为electrolytic memory。但这些公司都没有做出实际应用成果。

目前最主要推动 CBRAM 装置的公司是Adesto Technologies，最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 样品。