电子注入增强栅晶体管（Injection enhanced gate transistor），简称IEGT，是一种结合了GTO和IGBT元件优点的电子半导体器件，具有功率大、体积小、效率高、耐压值高、节能性高等特性。
 | 此条目没有列出任何参考或来源。 (2020年10月31日) |
IEGT最先由日本东芝于1993年所研发，并以注入式增强结构（Injection Enhanced，简称IE）技术，取得IEGT器件开发与生产专利，也使得东芝成为IEGT器件的主要生产与供应商。
相关应用
- 整流器
- 变压器
- 风力发电机组
- 轨道运输系统(例如：日本东急5080、6000系电车、新干线N700S系高速列车、和谐3型电力机车、和谐3D型电力机车、和谐3G型电力机车等)
外部链接
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