纠错内存维基百科,自由的 encyclopedia 纠错内存(英语:Error-Correcting Code memory,缩写:ECC memory或ECC)指能够实现错误检查和纠正错误技术的内存。 此条目可能包含原创研究。 此条目页的主题是一种内存纠错技术。关于椭圆曲线密码加密技术(ECC),请见“椭圆曲线密码学”。 ECC RAM 每面均有9枚存储器颗粒,比普通的多1枚
纠错内存(英语:Error-Correcting Code memory,缩写:ECC memory或ECC)指能够实现错误检查和纠正错误技术的内存。 此条目可能包含原创研究。 此条目页的主题是一种内存纠错技术。关于椭圆曲线密码加密技术(ECC),请见“椭圆曲线密码学”。 ECC RAM 每面均有9枚存储器颗粒,比普通的多1枚