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浮带硅
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浮带硅(英语:Float-zone silicon)是利用垂直式区域熔炼技术所得到的高纯度硅。先是1953年美国陆军通讯兵团(英语:Signal Corps (United States Army))的科学家保罗·开克(Paul H. Keck,1908年6月28日-1963年4月8日)与马塞尔·儒勒·埃都瓦·高莱(英语:Marcel J. E. Golay)以区域熔炼法制备出硅单晶。[1] 后来又有1955年贝尔实验室的Henry Theuerer改良威廉·加德纳·普凡纯化锗的程序而开发出相关技术。在垂直式的区域熔炼里,熔融硅有足够的表面张力避免炉料固液分离,如此便可不用再加装密闭容器防止硅被污染。
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若欲取得高纯度的硅,浮带硅制程是柴式拉晶法的替代方案。以此法精炼之硅可以做到碳、氧等杂质浓度极低。另一种杂质氮可以控制微小的晶体缺陷,而且有置换型固溶强化(英语:Solid solution strengthening)的效果,是故在晶体的成长阶段常常人为刻意渗氮保留一点点氮杂质。
浮带硅受限于成长时必须控制表面张力,所以制造出来的晶圆直径通常不超过150毫米。一条超纯电子级多晶晶棒通过一环射频加热线圈,在该晶棒上产生一小段熔融区长晶。一小颗晶种置于一端以启始晶体成长。整个制程必须在通惰性气体或在真空腔体吹净(英语:Air purge system)中进行,尽可能避免污染。因多数杂质在硅中的平衡分离系数小于1,故杂质往液态之熔融浮区移动被带走。特殊掺杂技术如核心位置掺杂、小球掺杂、渗气掺杂、中子转化掺杂等等可以达成杂质浓度均匀一致。