功率MOSFET
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功率MOSFET是专门处理大功率的电压和电流的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET),也是功率半导体(英语:power semiconductor device)的一种。和其他功率半导体(例如绝缘栅双极晶体管或晶闸管)比较,功率MOSFET的优点是其切换速度快,在低电压下的高效率。功率MOSFET和IGBT都有隔离的闸体,因此在驱动上比较容易。功率MOSFET的缺点是增益较小,有时闸极驱动的电压甚至比实际要控制的电压还低。
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MOSFET及互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术持续的演进,自1960年起已用在集成电路上,这也是功率MOSFET的设计得以实现的原因。功率MOSFET和一般信号级的MOSFET原理相同。功率MOSFET常用在电力电子学,是源自信号级的MOSFET,自1970年代开始有商品贩售[2]。
功率MOSFET是最常见的功率半导体(英语:power semiconductor device),原因是因为其闸极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度[3]、容易实施的并联技术[3][4]、高带宽、坚固性、偏压简单、容易使用、也容易维修[4]。在低压(200V以下)的应用中,功率MOSFET是最常见的功率半导体。功率MOSFET可以用在许多不同的领域中,包括大部分的电源供应器、直流-直流转换器、低电压电机控制器等,以及许多其他的应用。