传输门
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传输门(英语:Transmission gate)是一种基于CMOS的结构、能双向控制信号的电路。[1][2]
结构
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原则上,传输门是由两个MOSFET(FET)组成的,n沟道MOSFET(即NMOS)和p沟道MOSFET(即PMOS)并联连接,其中一个的漏极连结到另一个的源极。它们的栅极需要透过反相器连在一起,形成控制端子。
应用
参考资料
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传输门(英语:Transmission gate)是一种基于CMOS的结构、能双向控制信号的电路。[1][2]
原则上,传输门是由两个MOSFET(FET)组成的,n沟道MOSFET(即NMOS)和p沟道MOSFET(即PMOS)并联连接,其中一个的漏极连结到另一个的源极。它们的栅极需要透过反相器连在一起,形成控制端子。
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