reflection high energy electron diffraction

外延过程中，反射式高能电子衍射（英语：Reflection high-energy electron diffraction）（Reflection high-energy electron diffraction，縮寫：RHEED）经常被用来检测晶体层次生长的进程。计算机能

低能电子衍射（英語：Low-energy electron diffraction，LEED）是一种用以测定单晶表面结构的实验手段，使用准直（英语：Collimated light）的低能电子束（20–200 eV）轰击样品表面，可在荧光屏上观测到被衍射的电子所形成的光斑，进而表征样品的表面结构。

长的模式，包括透射电子显微镜或扫描隧道显微镜（直接测量表面形貌），低能电子衍射或反射式高能电子衍射（英语：Reflection high-energy electron diffraction）（通过测量衍射强度的振荡），以及俄歇电子能谱。 此处三种模式的翻译参考了中山大学江绍基的课件和日本计量标准综合中心（NMIJ）的论文。

hole）。Si(111)的7×7重构结构的探索历经长达25年；科学家借助了低能电子衍射和反射式高能电子衍射（RHEED）（英语：Reflection high-energy electron diffraction）的测量，以及理论计算才得以逐渐地认识其真貌。最终，格尔德·宾宁、海因里希·罗雷尔、Ch. Gerber 和

低能電子繞射技術（LEED）照射準直電子束（collimated electron beam）於晶體物質，然後根據觀測到的繞射圖樣，來推斷物質結構。這技術所使用的電子能量通常在20–200 eV之間。反射高能電子繞射（英语：reflection high energy electron diffraction