Martin Atalla

則是與半導體能階相關的參數（禁带中线与费米能级的差值）。 金氧半場效電晶體在1960年由貝爾實驗室的D. Kahng（英语：Dawon Kahng）和Martin Atalla（英语：Martin Atalla）首次實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體截然不同，且因為製造成本低廉與使用面積較小

请检查|date=中的日期值 (帮助) Reed, Geoffrey M.; Drescher, Jack; Krueger, Richard B.; Atalla, Elham; Cochran, Susan D.; First, Michael B.; Cohen‐Kettenis, Peggy T.;

ISBN 9782357792173.  Reed, Geoffrey M.; Drescher, Jack; Krueger, Richard B.; Atalla, Elham; Cochran, Susan D.; First, Michael B.; Cohen-Kettenis, Peggy T.;