Aluminium gallium indium phosphide

（例如砷化镓）和三元化合物（例如砷化铟镓（英语：Indium gallium arsenide））甚至四元化合物（英语：Quaternary compound）（例如磷化鋁鎵銦（英语：Aluminium gallium indium phosphide）AlInGaP合金）。 氮化镓 砷化镓 砷化铟

磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP）也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在

磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。 磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備。 磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有直接带隙（英语：direct

砷化鎵 氮化鎵 磷化銦 磷化鋁銦鎵（英语：Aluminium gallium indium phosphide） 磷化銦鎵 磷砷化銦（英语：Gallium arsenide phosphide） Ioffe NSM data archive （页面存档备份，存于互联网档案馆）

Indium (PDF). United States Geological Survey. [2019-08-03]. （原始内容存档 (PDF)于2016-12-31）.  Downs, Anthony John. Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium