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薩支唐(1932年11月10日—),美國華裔物理學家,主要從事微電子學研究。目前是美國佛羅里達大學教授,也是美國工程院院士、中央研究院院士、中國科學院外籍院士。
薩支唐籍貫中國福建省福州市,1932年生於北平。薩支唐是福州薩氏家族成員,是元代蒙古官員薩都剌後裔,其父薩本棟是第一屆中央研究院院士、廈門大學前校長。[1]薩支唐於1949年赴美國就讀於伊利諾大學,1953年獲得學士學位後又到史丹福大學學習,並於1956年在史丹福大學獲得博士學位。1956年起,他跟隨肖克利在工業界共同從事固態電子學方面的研究,1959年至1964年供職於仙童公司。1964年他來到伊利諾大學厄巴納-香檳分校任物理系和電子及計算機系教授達26年,培養出40名博士。1988年起,他在佛羅里達大學擔任教授至今。他還有一位弟弟薩支漢是紐約州立大學石溪分校的數學教授。[2]
在仙童公司期間,薩支唐帶領一個64人的研究組從事第一代矽基二極管、MOS電晶體和集成電路的製造工藝研究,是半導體工業先驅之一。他提出了半導體PN結中電子-空穴對復合理論(generation of electron-hole pair),和其他科學家共同開發出MOS、CMOS場效應電晶體,還提出了MOS電晶體模型。此外,他還發明了深能級瞬態譜(deep level transient spectroscopy,DLTS)方法用於探測半導體內的缺陷。目前他的研究方向主要是在亞微米MOS電晶體的可靠性研究。目前,薩支唐已發表了大約280篇學術論文,並應邀做了約170次學術演講。[3][4][5]
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