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能階交錯，是指電子層數較大的某些軌域的能量反低於電子層數較小的某些軌域能量的現象。[1]
電子層數較大的某些軌域的能量反低於電子層數較小的某些軌域能量的現象。如4s反而比3d的能量小，填充電子時應先充滿4s而後才填入3d軌域。過渡元素鈧的外層電子排佈為4s23d1，失去電子時，按能階交錯應先失去3d電子，成為4s23d0，而從原子光譜實驗得知，卻是先失4s上的電子成為4s13d1。這是由於3d電子的存在，削弱了原子核對4s電子的吸引而易失去的。過渡元素離子化時，大體是先失去ns電子，但也有先失去(n- 1)d電子的，像釔等。能階交錯的順序不是絕對不變的，在原子序數大的原子中，3d軌域可能比4s軌域的能量低。
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