磊晶 (晶體)

磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶技術成長出的結晶，有時可能也概指以磊晶技術製作的晶粒。

「磊晶 (晶體)」的各地常用名稱
中國大陸	外延
臺灣	磊晶[1]

磊晶技術可用以製造矽電晶體到CMOS集成電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓（英語：Epitaxial wafer）時，磊晶尤其重要。

磊晶成長技術的種類

• 化學氣相沉積
• 分子束磊晶技術：在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術，相關可見真空蒸鍍技術。
• 液相磊晶或稱液態磊晶（英語：Liquid Phase Epitaxy, LPE）的磊晶技術
• 固相磊晶（英語：Solid Phase Epitaxy, SPE）的磊晶技術