反應離子刻蝕

反應離子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或簡寫為RIE）是一種半導體生產加工工藝，它利用由等離子體強化後的反應離子氣體轟擊目標材料，來達到刻蝕的目的。氣體在低壓（真空)環境下由電磁場產生，等離子體中的高能離子轟擊晶片表面並與之反應。

無塵室中一組商用反應離子蝕刻設備

設備

RIE系統的典型的設備（平行板式）一般包括一個圓柱形真空室，真空室底部放置用來放晶片盤子。盤子與室體的其他部分絕緣。氣體由小口注入真空室上部，由底部排出進入真空泵。氣體的種類和多少取決於蝕刻的程序。比如，六氟化硫經常用來蝕刻矽。通過調節氣體流速以及排氣孔，氣壓一般被保持在幾托（Torr）至幾百托， 其他RIE系統包括感應耦合等離子體RIE（inductively coupled plasma 或者簡稱ICP RIE）。在這種系統中，氣體由射頻（RF）供能的磁場所產生。等離子體的濃度可達非常高，但是蝕刻會變得更加各向同性。 一個平行板式和感應耦合等離子體式所組合而成的RIE也是可以實現的。這一系統中，ICP用來產生高濃度等離子體來加快蝕刻速率，另一單獨加在晶片（矽片）上的射頻（RF）偏壓用來產生定向電場，以達到各向異性的效果。