File:Illustration_of_C-V_measurement.gif
維基百科,自由的 encyclopedia
Illustration_of_C-V_measurement.gif (322 × 308 像素,檔案大小:93 KB,MIME 類型:image/gif、循環、18 畫格、5.4秒)
摘要
描述Illustration of C-V measurement.gif |
English: C-V measurements can reveal oxide thickness, oxide charges, contamination from mobile ions, and interface trap density in wafer processes. In this image the C-V profile for a bulk p-type substrate MOSCAP with different oxide thickness is shown. The blue curve shown refers to a high frequency C-V profile while the red curve refers to low frequency C-V profile. MOS capacitance is independent of all the frequencies in the accumulation and depletion region. This is because it is here that the total charge is governed by majority carriers. In the inversion region the charge is governed by minority carriers, which forms the inversion layer. Due to finite minority carrier generation time, total charge is not able to follow the gate bias at higher frequencies, which can lead to differences in C-V profiles. Also worth noting here is the shift in threshold voltage with different oxide thickness. |
||
日期 | |||
來源 | Image:https://nanohub.org/resources/8818 ; Tool link: http://nanohub.org/resources/451 | ||
作者 | Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck | ||
授權許可 (重用此檔案) |
|
授權條款
![w:zh:共享創意](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/79/CC_some_rights_reserved.svg/90px-CC_some_rights_reserved.svg.png)
![姓名標示](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/1/11/Cc-by_new_white.svg/24px-Cc-by_new_white.svg.png)
此檔案採用創用CC 姓名標示 3.0 未在地化版本授權條款。
姓名標示: Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck
- 您可以自由:
- 分享 – 複製、發佈和傳播本作品
- 重新修改 – 創作演繹作品
- 惟需遵照下列條件:
- 姓名標示 – 您必須指名出正確的製作者,和提供授權條款的連結,以及表示是否有對內容上做出變更。您可以用任何合理的方式來行動,但不得以任何方式表明授權條款是對您許可或是由您所使用。
說明
添加單行說明來描述出檔案所代表的內容
在此檔案描寫的項目
描繪內容
共享創意署名3.0未本地化 Chinese (Hong Kong) (已轉換拼寫)
維基媒體VRTS工單號碼 繁體中文 (已轉換拼寫)
3 2 2010
檔案歷史
點選日期/時間以檢視該時間的檔案版本。
日期/時間 | 縮圖 | 尺寸 | 用戶 | 備註 | |
---|---|---|---|---|---|
目前 | 2010年5月17日 (一) 19:26 | ![]() | 322 × 308(93 KB) | Beatnik8983 | {{Information |Description={{en|1=C-V measurements can reveal oxide thickness, oxide charges, contamination from mobile ions, and interface trap density in wafer processes. In this image the C-V profile for a bulk p-type substrate MOSCAP with different ox |
檔案用途
下列2個頁面有用到此檔案:
全域檔案使用狀況
以下其他 wiki 使用了這個檔案:
- en.wikipedia.org 的使用狀況
- fa.wikipedia.org 的使用狀況
- hu.wikipedia.org 的使用狀況
- ja.wikipedia.org 的使用狀況
- ru.wikipedia.org 的使用狀況