鐵電隨機存取記憶體（Ferroelectric RAM，縮寫為FeRAM或FRAM），類似於SDRAM，是一種隨機存取存儲器技術。但因為它使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質，使得它也擁有非揮發性記憶體的功能。麻省理工大學達德利·艾倫·巴克（Dudley Allen Buck）在1952年提出的碩士論文中，首次提出了這個概念。它有比閃存更低的耗電量，還有更高的寫入速度，還有更長的讀寫壽命(大約10¹⁰到10¹⁵次循環)。它在+85℃時可以保存數據十年以上。但是它的缺點是比閃存存儲密度低，存儲容量限制，和更高的價格。與DRAM相比，鐵電隨機存取器的讀操作是破壞性的，因為它需要遵循先寫後讀架構；若比較舊製程的產品，其密度及速度與相同製程的DRAM接近，但不知道是否能使用與DRAM一樣先進的製程製造。相較於MRAM，鐵電隨機存取記憶體可以在強大許多的磁場下正常使用。
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 | 此條目沒有列出任何參考或來源。 (2013年6月25日) |
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