晶片製程技術節點
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晶片製程技術節點是指晶片上的電子元器件之特徵,即電子元件所能達到的最小尺寸;而晶片面積相同時電子元件尺寸愈小,晶片就能容納得下愈多的電子元器件(主要為電晶體),晶片的效能也隨之提升。
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自晶片商業化量產以來的頭三十餘年裏,晶片製程技術節點的名稱與電晶體柵極的長度(gate length)和半節距有關[1],但自1997年起,它們之間已開始沒有關聯;晶片製程技術節點之命名與柵極的長度、柵極間的節距(gate pitch)、及金屬層間的節距(metal pitch)並不相同,而是成了各廠家為了市場行銷而推出的商業命名。[2][3][4][5]因此對10納米及更先進的晶片製程技術節點,現業界較普遍以電晶體密度和晶片總體效能為準,[1]例如相較於上一代晶片,新款晶片之效能一般需提升約五分之一左右,方能被歸入下一代晶片製程技術節點。[6]