氮化銦

氮化銦（InN）是一種小能隙的半導體材料，在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用^[2]。

氮化銦
別名	Indium(III) nitride
識別
CAS號	25617-98-5  Y
PubChem	117560
ChemSpider	105058
SMILES	[In]#N
InChI	1/In.N/rInN/c1-2
InChIKey	NWAIGJYBQQYSPW-QCNKTVRGAR
性質
化學式	InN
摩爾質量	128.83 g·mol⁻¹
外觀	黑色粉末
密度	6.81 g/cm3
熔點	1100 °C（1373 K）
溶解性（水）	會水解
能隙	0.65 eV
電子遷移率	3200 cm2/(V.s) (300 K)
熱導率	45 W/(m.K) (300 K)
折光度n D	2.9
結構
晶體結構	纖維鋅礦 (六邊形)
空間群	C46v-P63mc
晶格常數	a = 354.5 pm, c = 570.3 pm [1]
配位幾何	四面體
危險性
MSDS	External MSDS
歐盟編號	未列出
主要危害	剌激性，會水解產生氨
相關物質
其他陰離子	磷化銦 砷化銦 銻化銦（英語：Indium antimonide）
其他陽離子	氮化硼 氮化鋁 氮化鎵
相關化學品	氮化銦鎵（英語：Indium gallium nitride） 氮化鋁銦鎵
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

依溫度的不同，氮化銦的能階可以到約~0.7 eV^[3]（以往認定的值是1.97 eV）。其有效電子質量已由高磁場的測量所確認 ,^[4][5]， m*=0.055 m₀。氮化銦和氮化鎵的合金為三元體系的氮化銦鎵，其直接能階從紅外線（0.69 eV）延伸到紫外線（3.4 eV）。

目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金氮化銦鎵（英語：indium gallium nitride），可以對應太陽光的頻譜。氮化銦的能階其波長可以長到1900nm。不過這類太陽電池要商品化，仍有許多困難，利用氮化銦及高含銦的氮化銦鎵製作p型半導體就是挑戰之一。氮化銦和其他氮化物（如 氮化鎵及氮化鋁）的異質外延生長也已證實相當困難。

氮化銦的多晶薄膜有高導電性，在氦的溫度下甚至有超導性。其超導轉態溫度為T_c依其薄膜結構而定，會低於4 K^[6][7]。其超導性在強磁場（數個特斯拉）下仍然存在，這和金屬在磁場為 0.03 T時超導性就會下降的特性不同。其超導的特性是因為金屬銦的鍊狀結構^[6]或是奈米簇，其中依照金茲堡－朗道方程，較小的尺寸增高了臨界磁場^[8]。

相關條目

• 氧化銦

參考文獻

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3. V. Yu. Davydov; et al. Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap (free download pdf). Physica Status Solidi (b). 2002, 229: R1 [2015-10-21]. Bibcode:2002PSSBR.229....1D. doi:10.1002/1521-3951(200202)229:3<r1::aid-pssb99991>3.0.co;2-o. （原始內容存檔 (PDF)於2015-09-24）.
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7. Tiras, E.; Gunes, M.; Balkan, N.; Airey, R.; Schaff, W. J. Superconductivity in heavily compensated Mg-doped InN. Applied Physics Letters. 2009, 94 (14): 142108. Bibcode:2009ApPhL..94n2108T. doi:10.1063/1.3116120.
8. Komissarova, T. A.; Parfeniev, R. V.; Ivanov, S. V. Comment on "Superconductivity in heavily compensated Mg-doped InN" [Appl. Phys. Lett. 94, 142108 (2009)]. Applied Physics Letters. 2009, 95 (8): 086101. Bibcode:2009ApPhL..95h6101K. doi:10.1063/1.3212864.

• Indium Nitride (InN). Ioffe Physico-Technical Institute. [2008-06-17]. （原始內容存檔於2011-06-10）.