拉撒路效應(英語:Lazarus effect):半導體探測器在高能粒子等輻射環境下應用時,體內產生許多間隙原子和空位;由於它們捕獲信號中的電子空穴過多而不能使用。但約在-143攝氏度下,又能重新恢復性能和應用。這種現象,稱為拉撒路效應。這種效應是1997年瑞士伯爾尼大學維托里奧·帕爾邁庫爾特·波萊等人發現的[1]。他們對這效應還做了如下的解析:

半導體探測器室溫下在高能粒子等輻射作用下,體內出現許多缺陷,捕獲信號的電子和空穴;後把它們發射回導帶或價帶;但所需時間要比探測器的讀出時間長。結果,使讀出信號比應有信號小許多,使信/噪比過小而不能使用。 但在低溫下,探測器由於點陣的低熱能,電子或空穴被局域缺陷捕獲很長時間,這樣,使大部「陷阱」都被佔滿而不起作用。這樣使探測器的信號丟失很少或不丟失。探測器的性能得到恢復而能重新使用。

參考文獻

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