多層單元（英語：multi-level cell，縮寫MLC）是一種儲存多個位元資訊的記憶體元件。
 | 此條目翻譯自其他語言維基百科，需要相關領域的編者協助校對翻譯。 |
MLC NAND快閃記憶體是一種在每個單元（cell）上使用多個層次的快閃記憶體技術，從而允許相同數量的電晶體儲存更多位元。在單層單元（SLC）NAND快閃記憶體技術中，每個單元只能處於兩種狀態中的一種，即每個單元儲存一個位元。很多MLC NAND快閃記憶體在每個單元中儲存四個可能的狀態，因此可以用每個單元儲存兩個位元。這減少了區分狀態的餘量，從而增加了發生錯誤的可能性。面向低錯誤率而設計的多層單元有時稱之為企業級MLC（eMLC）。
三層單元（Triple-level cells，縮寫TLC）是MLC記憶體的一種子類型，並隨着MLC記憶體的演變而有着較混亂的命名法。記憶體階層表現為如下順序：
- SLC - （最快，極高成本）
- MLC - （中上，高成本）
- TLC - （中等，低成本）
- QLC - （最慢，極低成本）
概述
MLC快閃記憶體的主要好處是較高的數據密度帶來的較低單元儲存成本，而記憶體讀取軟件可以補償更大的位元錯誤率。[1]更高的錯誤率需要前向錯誤更正（FEC）來糾正多個位元錯誤。例如，SandForce SF-2500快閃記憶體控制器可以糾正每個512位元組磁區中最多55位元，從而使不可恢復讀錯誤的發生率低於每讀寫1017位元時一個磁區。[2]最常被使用的演算法是BCH碼。[3]與SLC快閃記憶體相比，MLC NAND的其他缺點是較低的寫入速度、較低的編程擦除周期數和更高的功耗。
有少數記憶體裝置走向另一個方向，為每個位元使用兩個單元，從而得到更低的誤碼率。[4] Intel 8087使用每個單元兩個位元的技術，並是首個在1980年於市場上使用多層ROM單元的裝置。[5]一些固態磁碟使用MLC NAND中的部分晶粒模擬為單位元的SLC NAND，從而提供更高的寫入速度。[6][7][8]
三層單元
三星集團宣佈了每個單元（cell）儲存三位元資訊的一種NAND快閃記憶體，具有共8種電壓狀態。這也稱之為三層單元（Triple Level Cell，縮寫TLC），首次應用於840系列SSD。[9]三星將這項技術稱之為3位元MLC。基於NAND記憶體的SanDisk X4快閃記憶體記憶卡在每個電晶體中使用16個離散電荷電平（狀態）在每個單元儲存四位元。[10][11]MLC的缺點在TLC上同樣存在並更為突出，但TLC也受益於更高的儲存密度和更低的成本。[12]
單層單元
快閃記憶體將數據儲存在浮柵電晶體製成的各儲存單元中。在傳統上，每個單元有兩種可能的狀態，因此每個單元中儲存一個位元數據的稱之為單層單元，或者SLC快閃記憶體。SLC記憶體具有高寫入速度、低功耗、更長電池耐久的優點。但是，因為SLC記憶體比MLC記憶體在每個單元中儲存的數據更少，它儲存每百萬位元組的成本更高。由於更快的傳輸速度和更長使用壽命，SLC快閃記憶體技術更常被用於製造高效能記憶卡。2016年2月的一項研究表示，SLC與MLC的可靠性在實踐中幾乎沒有差異。[13]
參見
參考資料
外部連結
Wikiwand in your browser!
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.
