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多閘極電晶體
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多閘極電晶體(英語:Mulitgate Device)是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。它可以用一個電極來同時控制多個閘極,亦可用多個電極單獨控制各閘極。後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor(MIGFET)。多閘極電晶體被提出為的是克服半導體工業裏摩爾定律(Moore's law)發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題。[1]
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相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體,其中包含了超微半導體、日立、IBM、英飛凌、英特爾、台積電、飛思卡爾、加州大學柏克萊分校等等,而ITRS預估多閘極電晶體將是32奈米以下重要的奠基石。[2]實現上主要的障礙來自於製造技術,不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰,特別是顯影以及圖案化技術。其他伴隨發展的包含了通道應力、矽上絕緣(SOI)以及高介電質/金屬閘極材料。
雙閘極電晶體廣泛用於超高頻混頻器(VHF mixers)和超高頻前端放大器(英語:RF front end)(VHF front end amplifiers)。製造商包含Motorola、NXP和Hitachi。[3][4][5]