閾值電壓維基百科,自由的 encyclopedia 臨界電壓(英語:Threshold voltage ; 標示為: Vth)[1],又稱閾電壓[2]或臨界電壓,通常指的是在TTL或MOSFET的傳輸特性曲線(輸出電壓與輸入電壓關係圖線)中,在轉折區中點所對應的輸入電壓的值。 計算機仿真展現的納米線MOSFET中反型溝道的形成(電子密度的變化)。閾值電壓在0.45V左右。 當器件由空乏向反轉轉變時,要經歷一個Si表面電子濃度等於電洞濃度的狀態。此時器件處於臨界導通狀態,器件的閘極電壓定義為閾值電壓,它是MOSFET的重要參數之一。
臨界電壓(英語:Threshold voltage ; 標示為: Vth)[1],又稱閾電壓[2]或臨界電壓,通常指的是在TTL或MOSFET的傳輸特性曲線(輸出電壓與輸入電壓關係圖線)中,在轉折區中點所對應的輸入電壓的值。 計算機仿真展現的納米線MOSFET中反型溝道的形成(電子密度的變化)。閾值電壓在0.45V左右。 當器件由空乏向反轉轉變時,要經歷一個Si表面電子濃度等於電洞濃度的狀態。此時器件處於臨界導通狀態,器件的閘極電壓定義為閾值電壓,它是MOSFET的重要參數之一。