浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體
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浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體(Floating-gate MOSFET,簡稱浮柵MOSFET或FGMOS)是一種場效應電晶體,其結構類似傳統的金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET) 。FGMOS的柵極是電絕緣的,從而在直流電中產生浮動節點。在浮柵(floating gate)上方以沉積方式構造多個次級柵極或輸入電極,與浮柵絕緣。這些輸入與浮柵僅有電容耦合連接。由於浮柵完全被高電阻材料包圍,因此其中包含的電荷量會長時間保持不變。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和熱載流子注入機制來修改存儲在浮柵中的電荷量。
FGMOS的應用包括EPROM中的數字存儲元件、EEPROM和閃存、模擬存儲元件、數字電位器(英語:Digital potentiometer)、單電晶體DAC以及神經網絡中的神經元計算元件等。