Remove ads
Found in articles
Pn结
耗尽层在pn接面两侧有相同量的电荷，因此它向较少掺杂的一侧延展更远（图A与图B的n端）。 若施加在p區的電壓高於n區的電壓，称为正向偏置（forward bias）。 在正向偏置电压的外电场作用下，N区的电子与P区的空穴被推向pn接面。这降低了耗尽区的耗尽宽度。这降低了pn接面的电势差（即内在电场）
metal-insulator-metal）（MIM）二極體，但因為其本質上的高敏感度，目前應用只限在研究環境下。 在一般順向偏壓（英语：forward bias）運作下，電壓會增加，第一個隧道的電子通過非常窄的P-N 接面能障，填滿N側的導通帶，而此導通帶開始和P-N接面中P側空的價帶對齊。電壓進
N结势垒高低均会发生变化，导致二极管的电阻发生变化。 二極體的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為順向偏壓（forward bias）。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入電洞。這樣一來，讓多數載流子過剩，空乏層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合並消滅。整
Jennifer. LinkedIn Learning's most popular class of 2021 is about unconscious bias. CNBC. [2023-01-17]. （原始内容存档于2023-01-17） （英语）. Who's Dancing at the Party:
员揭示了一类新的攻击方式，称为BLUFFS（低能耗蓝牙前向与未来保密攻击）。这6种新攻击是在之前已知的KNOB和BIAS（蓝牙冒充攻击）的基础上进行扩展和协作的。之前的KNOB和BIAS攻击允许攻击者在会话中解密和伪造蓝牙数据包，而BLUFFS将这一能力扩展到由设备生成的所有会话（包括过去、现在和未来）。所有运行蓝牙版本4