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Dynamic random-access memory
来自维基百科,自由的百科全书
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动态随机存储器
动态随机存储器,又称动态RAM(
dynamic
random
-
access
memory
, DRAM,台湾作動態隨機存取記憶體),是一种半导体存储器,通常被用作主存储器,用於存儲運行中的程式和數據。在DRAM中,每個記憶單元由一個電容和一個電晶體組成,主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一
揮發性記憶體
RAM(Random Access Memory,隨機存取記憶體) DRAM(
Dynamic
Random
Access
Memory
,動態隨機存取記憶體) SRAM(Static
Random
Access
Memory
,靜態隨機存取記憶體) 旧规格: 快页模式内存 Fast Page Mode (FPM)
XDR DRAM
eXtreme Data Rate
Dynamic
Random
Access
Memory
,又称XDR DRAM,是一种由 Rambus 公司开发的高带宽内存。它被设计用于需要高内存带宽的高性能计算和图形应用。 XDR DRAM 以高达 7.2 GHz 的时钟速度运行,峰值带宽高达 28.8 GB/s。
DDR3 SDRAM
第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(Double-Data-Rate Three Synchronous
Dynamic
Random
Access
Memory
,一般稱為DDR3 SDRAM),是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品,提供相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2
DDR SDRAM
双倍数据率同步動態隨機存取記憶體(英語:Double Data Rate Synchronous
Dynamic
Random
Access
Memory
,簡稱DDR SDRAM)為具有雙倍資料傳輸率的SDRAM,其資料傳輸速度為系統時脈的兩倍,由於速度增加,其傳輸效能優於傳統的SDRAM。 DDR