過渡金屬二硫屬化物（TMD或TMDC）單層材料是MX2類型的原子層半導體材料薄膜，其中M是過渡金屬原子，包括鉬（Mo）、鎢（W）等，X是硫族原子，包括硫（S）、硒（Se）、碲（Te）。一層M原子夾在兩層X原子之間，即構成該二維材料。與第一行過渡金屬二硫化物相比，這些材料的關鍵特徵是二維結構中大原子間的相互，WTe2表現出反常的巨磁阻和超導性。 [1]
而WSe2作為一種二維材料，廣泛應用於電子器件、光電器件、能源存儲與轉換以及傳感器等領域，具有優異的電子、光學和催化性能。[2]
參考文獻
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